本报讯 （记者 蒋海文）11月27日至28日，中国科协第226次青年科学家论坛暨国家自然科学基金委半导体学科发展战略研讨会在我校召开。我国计算机专家沈绪榜院士、2名存储领域的973首席科学家和来自北京大学、清华大学、复旦大学等单位的18名国家杰出青年基金获得者等48名专家，就非挥发性存储技术及其器件的发展与挑战从宏观上进行深入探讨。
　　中国航天电子基础技术研究所沈绪榜院士，国家自然科学基金委信息学部副主任秦玉文，校党委书记肖国安，国家自然科学基金委信息学部综合处处长孟太生，国家自然科学基金委信息学部四处处长何杰，国家自然科学基金委信息学部四处潘庆安教授、郭睿倩教授，副校长、湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室主任周益春出席了开幕式。
　　肖国安在开幕式上致辞。肖国安简要介绍了我校的建设历程与发展成就，并重点介绍了我校在半导体学科的建设及其前沿技术的研究方面的情况。我校一直注重半导体学科的建设和前沿技术的研究。在国家自然科学基金委杰出青年基金项目、重点项目及面上项目等项目的支持下，我校在铁电薄膜、稀磁半导体薄膜及非挥发性晶体管等半导体器件的研究方面取得了可喜的成果，建立了国内首家5英寸大面积薄膜脉冲激光沉积系统，并开发出了5英寸大面积功能薄膜的脉冲激光沉积工艺；研制出了保持时间长达10年的铁电场效应晶体管。我校是中日铁电论坛的发起单位之一，现已成为世界上一个重要的铁电研究基地。
　　半导体存储技术分为挥发性和非挥发性两种，非挥发性存储技术是指存储器在电性消失后，仍然能够将数据保存下来的技术。半导体存储器广泛应用于消费电子、网路通讯、计算机及国防电子装备等方面，具有不可替代的地位。“随着数据容量急剧增大，进一步提高存储密度，满足未来应用对闪存模块日益增长的体积更小、容量更大的要求成为目前半导体存储器研究的重点，同时对速度、功耗、可靠性等存储性能提出了更高要求。”会议执行主席、教育部新世纪人才基金获得者、湖南省杰出青年基金获得者、我校材料与光电物理学院王金斌教授道出了会议召开的背景。
　　本次青年科学家论坛的主题是非挥发性存储技术的发展与挑战。会议期间，与会专家就铁电存储技术、阻变存储技术、磁存储技术、相变存储技术、新型存储技术等五个专题进行了讨论。会议认为，我国每年将进口200多亿美元的存储器芯片，存储器市场占了整个IT行业的1/4，开发自主知识产权的存储器刻不容缓，要从存储材料和存储原理上进行源头创新，加强科研单位之间、研究单位和企业之间的合作与交流，在铁电、相变、阻变、纳米FLASH等新型非挥发性存储技术方面开发具有自主知识产权的新型存储材料和器件。
　　沈绪榜院士认为，我国对非挥发性存储技术及其器件的研究，在国际上处于领先地位，但其制造能力、制造技术与国际相比还有较大差距。国内集成电路工业自主知识产权匮乏，技术严重受制于人，在发展过程中被设置了包括技术壁垒和知识产权在内的重要障碍。沈绪榜院士指出，会议的召开，为推动我国在存储器领域的可持续发展提供了重要契机。
　　青年科学家论坛由中国科协发起成立，旨在促进优秀青年科技工作者的成长，使他们置身于高层次的学术讨论环境之中，拓宽视野，增长知识和才干，提高学术水平。青年科学家论坛以与国民经济建设密切相关的重大科技问题进行研讨，为政府和有关部门的决策提供重要的意见和建议。多年来，青年科学家论坛在促进科技进步，促进科学发展，促进青年人才成长方面起到了重要作用。
　　此次研讨会由中国科协和国家自然科学基金委共同主办，湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室承办。